Изворни код странице Транзистор

{{Infobox electronic component
| name              = Транзистор
| image             = [[File:Transistorer (cropped).jpg|225px]]
| caption           = Изабрани дискретни транзистори. Пакети и редоследи од врха до дна: [[TO-3]], [[TO-126]], [[TO-92]], [[SOT-23]].
| type              = 
| working_principle =
| inventor          = [[John Bardeen]], [[Walter Brattain]], и [[William Shockley]]
| invention_Year = 1947 
| first_produced    =
| pins              = Base, collector and emitter
| symbol            = [[File:BJT_PNP_symbol.svg|100px]] [[File:BJT_NPN_symbol.svg|100px]]
| symbol_caption    = PNP и NPN транзистор
| terminal_number = 3
}}

'''Транзистор''' је активни [[полупроводник|полупроводнички]] елемент са три извода (два приступа) који се користи као [[појачавачки елемент|појачање]] (најзначајнија примена), [[прекидач|прекидање]] струје, у колима за стабилизацију напона, модулацију сигнала и многе друге операције.{{sfn|Amos|James|1999|pp=}}{{sfn|Horowitz|Hill|1989|pp=}}

Назив транзистора је изведеница од две речи ('''-{transfer}-''' - преносни, '''-{resistor}-''' - отпор).

У почетку је називан и кристална [[триода]], по еквивалентној електронској цеви по имену триода.

Транзистори се према начину рада деле у две главне групе: '''биполарне''' транзисторе (енг. '''-{''BJT''''' - ''Bipolar Junction Transistor''}-) код којих проводност зависи од мањинских носилаца [[електрични набој|електричног набоја]] (електронима у -{NPN}- или шупљинама у -{PNP}- типу) те '''униполарне''' транзисторе ([[енглески|енг.]] '''-{''FET''''' - ''Field Effect Transistor''}-) код којих проводност зависи само од већинских носилаца електричног набоја ([[електрон]]има у -{N}--каналном или шупљинама у -{P}--каналном типу).

Под појмом транзистор најчешће се подразумева раније откривени [[биполарни транзистор]], а када се говори о униполарном транзистору редовно се наглашава о којој се врсти униполарног транзистора ради.

== Развој ==

[[Термоелектронска емисија|Термоелектрична]] [[триода]], [[Електронска цијев|вакуумска цев]] је изум из 1907, који је омогућио развој појачавачке [[радио]] технологије и [[телефонија|телефоније]] преко великих растојања. Триода је међутим била крхки уређај који је конзумирао знатне количине струје. Године 1909. је физичар [[William Eccles|Вилијам Еклес]] открио кристално диодни осцилатор.{{sfn|Moavenzadeh|1990|p=430}} Немачки физичар [[Julius Edgar Lilienfeld|Јулиус Едгар Лилифелд]] је поднео патент за [[транзистор са ефектом поља]] (-{FET}-) у Канади 1925, чија намена је била да буде замена за триоду у [[Чвсто стање (електроника)|чврстом стању]].<ref>Vardalas, John (May 2003) [http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp Twists and Turns in the Development of the Transistor] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20150108082709/http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp |date=8. 1. 2015. }} ''IEEE-USA Today's Engineer''.</ref><ref>Lilienfeld, Julius Edgar, "Method and apparatus for controlling electric current" {{US patent|1745175}} January 28, 1930 (filed in Canada 1925-10-22, in US October 8, 1926).</ref> Лилинфелд је такође поднео идентичне патенте у САД 1926<ref>{{cite web|title=Method And Apparatus For Controlling Electric Currents|publisher=United States Patent and Trademark Office|url=http://www.google.com/patents?id=uBFMAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref> и 1928.<ref>{{cite web|title=Amplifier For Electric Currents|publisher=United States Patent and Trademark Office| url=http://www.google.com/patents?id=jvhAAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref><ref>{{cite web|title=Device For Controlling Electric Current|publisher=United States Patent and Trademark Office| url=http://www.google.com/patents?id=52BQAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref> Међутим, Лилинфелд није објавио своја истраживања овог уређаја у научним часописима, нити су његови патенти наводили специфичне примере радног прототипа. Будући да је производња висококвалитетних полуводичких материјала била још деценија удаљена, Лилинфелдове идеје о појачивачу у чврстом стању не би нашле практичну примену до 1920-тим и 1930-тим, чак и да су уређаји били направљени.<ref name="todaysengineer.org">{{cite web|title=Twists and Turns in the Development of the Transistor|publisher=Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.|url=http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp|url-status=dead|archiveurl=https://web.archive.org/web/20150108082709/http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp|archivedate=8. 1. 2015 |df=mdy-all}}</ref> Године 1934, немачки изумитељ [[Оскар Хеил]] је патентирао слични уређај у Европи.<ref>[http://v3.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=GB&NR=439457&KC=&FT=E Heil, Oskar, "Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices"], Patent No. GB439457, European Patent Office, filed in Great Britain 1934-03-02, published December 6, 1935 (originally filed in Germany March 2, 1934).</ref>

Први транзистор су направили [[Вилијам Шокли]], [[Џон Бардин]] и [[Валтер Бретејн]] [[23. децембар|23. децембра]] [[1947]]. године у Беловим лабораторијама.<ref>{{cite web|title=1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented  |website=Computer history museum |url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/field-effect-semiconductor-device-concepts-patented/ |accessdate=25. 3. 2016}}</ref><ref>{{cite web|title=November 17 – December 23, 1947: Invention of the First Transistor| publisher=American Physical Society| url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm}}</ref> Шокли, Бардин и Бретејн су добили [[Нобелова награда|Нобелову награду]] за свој изум „за њихова истраживања [[полупроводник]]а и откриће транзисторског ефекта“.<ref>{{cite web|title=November 17 – December 23, 1947: Invention of the First Transistor|publisher=American Physical Society|url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm}}</ref><ref>{{cite web|title=The Nobel Prize in Physics 1956 |website=Nobelprize.org |publisher=Nobel Media AB |url=https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/ |accessdate=7. 12. 2014}}</ref>

Пре проналаска биполарног транзистора користиле су се [[електронска цијев|електронске цеви]] које су имале битне недостатке (цена, потрошња енергије, димензије...) али и предности (цеви се и данас понекад користе за посебне намене због мање осетљивости на нуклеарно зрачење, велике снаге, и као елементи у аудиофилским аналогним појачалима...). Најближи еквивалент транзистору је била електронска цев - [[триода]].

[[Датотека:Replica-of-first-transistor.jpg|мини|250п|Реплика првог транзистора]]

== Конструкција ==
Направљен је од [[германијум]]а (-{Ge}-), [[силицијум]]а (-{Si}-), или неког другог полупроводничког материјала. Полупроводнички материјали се обично понашају као изолатори, али ако се допирају примесама потпуно мењају особине. Ако се допирају (загаде) неким од хемијских елемената који припадају донорима појављује се вишак позитивних -{P}- наелектрисања, а ако се допирају акцепторима појављује се вишак негативних -{N}- носилаца наелектрисања. Такав материјал почиње да се понаша као проводник. Када се у истом материјалу направи да постоје и -{N}- и -{P}- зоне, појављује се нови ефекат, полупроводљивост. Транзистор се састоји из три слоја -{P}- и -{N}- полупроводника са којих се изводе контакти: емитора (-{Е}-), базе (-{B}-) и колектора (-{C}-). Разликујемо два типа биполарних транзистора -{PNP}- и -{NPN}- означених по редоследу слојева. Транзистори се праве као дискретне (засебне) компоненте или у оквиру интегрисаних кола (чипова). За интеграцију је кључна појава -{MOSFET}- (транзистор са ефектом поља) транзистора који су због својих малих димензија и специфичне технологије израде готово потиснули биполарне транзисторе. Данас се сваки власник рачунара може похвалити да има милионе -{MOSFET}- транзистора у процесору.

== Рад ==
Основна функција транзистора је да контролише проток струје. Транзистор функционише тако што са малом струјом у колу емитер-база можемо управљати знатно јачом струјом у колу емитер-колектор. Ова појава назива се транзисторски ефекат. Најбоља аналогија која објашњава транзистор је славина за воду. Вентил на воденој славини контролише проток воде. Код транзистора се тај вентил назива '''база''' ({{јез-енгл|base}}) или '''капија''' ({{јез-енгл|gate}}) код ФЕТ-ова (''-{Field Effect Transistor}-'').

Појачање транзистора изражава се као фактор струјног појачања у спојевима са заједничким емитером:
: <math>\beta = I_\mathrm{c} / I_\mathrm{b} \,</math>
Где су:
* β фактор појачања транзистора
* <math>I_\mathrm{c}</math> Струја колектора
* <math>I_\mathrm{b}</math> Струја базе

За правилан рад транзистора потребно је поларизовати транзистор (довести му напајање) као и с обзиром на његову преосетљивост на промену температуре, стабилизацију радне тачке у односу на колектор и емитер.

== Биполарни транзистор ==
[[Датотека:Tranzistor2.jpg|мини|десно|250п|Транзистор]]

[[Биполарни транзистор|Биполарни су транзистори]] грађени тако да допирањем чистог [[полупроводник]]а, нпр. [[силицијум]]а или [[германијум]]а, настаје структура у којој се између два подручја истог типа проводности (-{P}- или -{N}-) налази подручје супротног типа проводности (N или P). Зависно од тога могућа су два типа биполарних транзистора који се означавају као:
* -{PNP}- (позитивно-негативно-позитивно)
* -{NPN}- (негативно-позитивно-негативно)

Код биполарних транзистора се разликују:
* базу [-{B}-]
* емитер [-{E}-]
* колектор [-{C}-]
на које су спојени изводи помоћу којих се транзистор спаја у спољашње [[електрично коло]]. База и емитер чине у нормалном активном начину рада пропустно поларизиран -{PN}- спој (код -{NPN}- транзистора), за разлику од колектора и базе који у нормалном активном начину рада чине непропустно поларизиран -{PN}- спој.

Принцип рада транзистора се заснива на инјекцији мањинских носилаца из емитера у базу и њиховом транспорту до колектора. Како је [[електрични напон|напон]] на споју база-емитер мањи од напона на споју колектор-база, а такође је и [[електрична струја|струја]] која тече у базу мања од струја емитера и колектора значи да транзистор омогућује управљање потрошњом у колу веће [[Снага (физика)|снаге]] помоћу кола у којем се троши мања снага. Зависно о томе која је електрода за оба кола заједничка транзистор се може користити у три различита споја.

У споју са заједничком базом остварује се само појачање напона, у споју са заједничким колектором само појачање струје, а споју са заједничким емитером појачава се и напон и струја, па је појачање снаге највеће.

За делотворан рад транзистора је битно да струја која тече у базу буде што мања. Два фактора која на то утичу су фактор инјекције и транспортни фактор. Фактор инјекције зависи од односа броја носилаца који се инјектирају из емитера у базу према броју носилаца који се инјектирају из базе у емитер. Повољан се однос постиже када је емитер знатно више допиран од базе.

Транспортни фактор зависи од броја инјектираних носилаца који се рекомбинирају у бази, а за њега је битно да база буде довољно танка како би носиоци стигли до колекторског споја пре него што се рекомбинирају.

Било да се ради о -{PNP}- или -{NPN}- типу транзистора оба обављају исту функцију. Разлика је у поларитетима спољних напона и струја, те у врсти носилаца електричне струје. У -{PNP}- типу транзистора главни су носиоци електричне струје шупљине, а у -{NPN}- типу транзистора су то електрони.

== Параметри биполарног транзистора ==
[[Датотека:TRANSISTOR CURVA.jpg|мини|десно|250п|Излазне карактеристике типичног биполарног транзистора који се уграђује у склопове који служе као напонска појачала, и друге различите намене, радно подручје означено је плавом бојом]]

[[Биполарни транзистор]] примарно се сматра струјним активним извором где истосмерна колекторска струја зависи од струје базе:

<math> I_C=f(I_B) \,</math>

Биполарни транзистор као активни електрични извор се представља у електроничким колима с надоместним управљаним струјним извором.

=== Динамичко струјно појачање ===

За разлику од истосмерног струјног појачања које се дефинише као:
:<math>  \beta = \frac{I_C}{I_B}  \,</math>
динамички фактор струјног појачања -{''h''<sub>FE</sub>}- се дефинише као струјно појачање за мали електрични сигнал у одређеној радној тачки транзистора:
:<math> h_{FE}=  \left| \frac{\vartriangle i_c}{\vartriangle i_b}\right|_{U_c=konst}   .    </math>
Размотре ли се мале наизменичне струје биполарни транзистор се може предочити активним струјно управљаним струјним извором називне струје :
:<math> {i_c} = h_{FE}i_b, \,</math>
где је -{i<sub>c</sub>}- наизменична компонента колекторске струје, -{''h''<sub>FE</sub>}- динамички фактор струјног појачања, а -{i<sub>b</sub>}- улазна побудна струја базе.

Фактор струјног појачања може попримати вредности од неколико десетака до неколико стотина, зависно од намене и технологије израде.

=== Улазни динамички отпор ===
[[Датотека:2N3055 NPN Transistor.jpg|десно|250п|мини|Излазни транзистор снаге -{2N}- 3055]]

Величина улазног [[динамички електрични отпор|динамичког отпора]] одређена је положајем радне тачке на улазној -{U<sub>BE</sub>/ I<sub>B</sub>}- карактеристици. Како је струја базе у зависности од напона база/емитер одређена са:
:<math> I_B = I_{s}   e^ { \frac{U_{BE}}{kT} }   \,</math>

где је -{I<sub>B</sub>}- струја базе, -{I<sub>s</sub>}- реверзна струја засићења, -{U<sub>BE</sub>}- напон база/емитер, -{k}- Болтзманова константа, а -{T}- апсолутна температура у <sup>0</sup>K. Следи да је улазна динамичка проводност одређена као:

:<math>G_{ul}=\frac{d{I_B}}{d{U_{BE}}}=\frac{I_{s}}{kT} e^{\frac{U_{BE}}{kT}} \,</math>,

где је тада динамички улазни отпор једнак:
:<math>  R_{ul}=\frac{dU_{BE}}{dI_B} =\frac{kT}{I_{s}} e^{-\frac{U_{BE}}{kT}}  \,</math>,

Динамички улазни отпор величина је која изразито овиси о радној точки транзистора. У запорном подручју је улазни отпор велик, а у пропустном се брзо смањује нарочито за напон база/емитер -{U<sub>BE</sub>}- већи од прага вођења који је за силицијеве транзисторе негдје између О,5 и О,6 -{V}-. Како ће физички већи транзистори имати у правилу и већу реверзну струју засићења, излазни транзистори снаге имају сходно томе и мањи динамички улазни отпор, што се види и из њихове улазне -{U<sub>BE</sub>/ I<sub>B</sub>}- карактеристике. Транзистор у засићењу ради као укључена склопка.

=== Унутрашњи динамички отпор ===

Унутрашњи динамички отпор одређује се као однос мале промене колекторског напона и мале промене колекторске струје у радној тачки транзистора, а уз константну струју базе:
:<math> R_i=  \left| \frac{\vartriangle U_c}{\vartriangle I_c}\right|_{I_b=konst} </math>
Унутрашњи динамички отпор транзистора је велик за све савремене силицијумоеве биполарне транзисторе те је излазни колекторски наизменични напон зависан највећим делом од величине оптеретног отпора.

== Напонско појачање у споју заједничког емитера ==

Биполарни транзистор представља за наизменични електрични сигнал струјно управљан електрични извор струје и представља се надоместним извором унутрашњег отпора -{R<sub>i</sub>}- и струје

:<math>{i_c} = h_{FE}i_{ul}\, </math>,

где је -{h<sub>FE</sub>}- динамички фактор струјног појачања, а -{i<sub>ul</sub>}- побудна струја која тече кроз базу биполарног транзистора. Међутим, у честим околностима где је динамички електрични отпор који се појављује на улазним електродама биполарног транзистора знатно већи од унутрашњег отпора електричног извора који се прикључује на базу и емитер биполарног транзистора, ова једнакост се може приказати у нешто друкчијем облику

:<math>{i_c} = h_{FE} \frac{u_{ul}}{R_{ul}} </math>

где је -{u<sub>ul</sub>}- улазни напон који долази из напонског извора, а -{R<sub>ul</sub>}- динамички отпор на улазу транзистора.

Пад напона -{u<sub>R</sub>}- на оптеретном отпору биће зависан од међусобног односа оптеретног отпора и унутрашњег отпора извора

:<math>{u_R}= -h_{FE} \frac{u_{ul}}{R_{ul}} \frac{{R_t}{R_i}}{R_t+R_i} </math>

те је напонско појачање појачала с биполарним транзистором одређено према једнакости

:<math>{A_V}= -\frac{h_{FE}}{R_{ul}} \frac{{R_t}{R_i}}{R_t+R_i} </math>

Напонско појачање електроничког склопа с биполарним транзисторима одређено је, дакле, првенствено фактором динамичког струјног појачања и динамичком улазном импенданцијом биполарног транзистора те међусобним односом оптеретног отпора и унутрашњег отпора извора. Појачање има негативан предзнак јер повећање улазног измјеничног напона на бази транзистора има за посљедицу смањење колекторског напона на излазу.

== Понашање на вишим фреквенцијама ==

=== Улазна импеданса ===

Улазну импедансу биполарног транзистора сачињавају њен радни део, улазни отпор -{R<sub>ul</sub>}- и резултантна улазна [[Електрични капацитет|капацитивност]] коју чини с једне стране капацитет база/емитер -{C<sub>be</sub>}-, а с друге стране капацитет колектор/база -{C<sub>cb</sub>}- који се пресликава у улазни круг увећан за напонски фактор појачања склопа у који је уграђен биполарни транзистор (Милеров ефекат):
:<math>\ C_r=  C_gk + A_VC_ag    </math>
где је тада улазна [[Електрична импеданса|импеданса]] одређена једнакости:
:<math>Z_ul = \frac{1}{j\omega C_r} </math>.

Улазна импеданса триоде је на тај начин осетно мања у поређењу са тетродом и пентодом код којих су другом решетком улазни и излазни круг практично потпуно одвојени.

=== Излазна импеданса ===

Унутрашњи, односно излазни динамички отпор електронске цеви на нижим и средњим фреквенцијама одређен је карактеристикама разматране електронске цеви, где ће триода у том смислу имати релативно мали унутрашњи отпор, тетрода осетно већи, а пентода највећи. Сразмерно величини унутрашњег отпора расте и могућност напонског појачања електронске цеви те ће пентода имати најмање за ред величине веће напонско појачање. При вишим фреквенцијама ваља рачунати на утицај свих међуелектродних капацитета што ће се очитавати као пад појачања при вишим фреквенцијама, а услед деловања међуелектродних капацитета који се у излазном кругу појављују као капацитивно оптерећење зависно од фреквенције.

== Униполарни транзистор ==

Код [[униполарни транзистор|униполарних транзистора]], за разлику од биполарних, у вођењу струје суделује само једна врста електричног набоја (или електрони или шупљине). Називају се транзистори са ефектом поља ([[Енглески језик|енгл]]. -{''Field-effect transistor''}-, скраћено -{FET}-, а [[Немачки језик|нем]]. -{''Feldeffekt Transistor''}-). Својство им је да имају изразито велики улазни [[Електрични отпор|отпор]] те се могу сматрати [[напонски активни електрични извор|напонски управљаним активним извором]].

Униполарни транзистори зависно од технологије израде могу бити
* Спојни (енгл. -{''Junction field-effect transistor''}-, скраћено -{JFET}-, а нем. -{''Sperrschicht''-FET}-)
* С изолираним засуном (енгл. -{''Insulated gate FET''}-, скраћено -{IGFET}-
* Метал оксидни (енгл. -{''metal oxide semiconductor FET''}-, скраћено -{MOSFET}-, а нем. -{''Isolierschicht''-FET}-).
* Вертикални метал оксидни (енгл. -{''vertical metal oxide semiconductor FET''}-, скраћено -{VMOSFET}-)

Униполарни транзистори могу још обзиром на тип полуводича бити ''н-канални'' или ''п-канални'', а обзиром на допирање могу бити изведени као обогаћен или осиромашен тип.

== Фототранзистор ==

Знатно већу осетљивост на светлост у поређењу с [[фотодиода]]ма имају фототранзистори. Међутим, брзина рада им је знатно мања од брзине рада фотодиоде. Време укључења, а посебно искључења, знатно је дуже, реда величине неколико [[секунда|микросекунди]], док код фотодиоде може бити мање од [[секунда|наносекунде]]. Деловање фототранзистора слично је деловању обичних биполарних транзистора с тим да се [[струја]] базе ствара осветљењем -{PN}- споја база-колектор. Фототранзистор се може предочити с помоћу споја биполарног транзистора и фотодиоде спојене између колектора и базе. Кад је транзистор неосветљен њиме тече само врло мала тамна струја коју чини преостала струја колектора реда величине од неколико [[ампер|наноампера]] до неколико десетака наноампера.

<div class="thumb tright" style="background:#f9f9f9; border:1px solid #ccc;">
{| border="0" cellpadding="10" cellspacing="0" style="font-size:85%; border:1px solid #ccc; margin:0.3em;"
| Биполарни || || -{FET}- ||
|- style="text-align:center;"
| [[Датотека:BJT symbol PNP.svg|45п]] || -{PNP}- || [[Датотека:JFET_symbol_P.png]] || -{P}--канални
|- style="text-align:center;"
| [[Датотека:BJT symbol NPN.svg|45п]] || -{NPN}- || [[Датотека:JFET_symbol_N.png]] || -{N}--канални
|}
<div style="border: none;"><div class="thumbcaption">Симболи за транзисторе разних врста</div></div></div>

== Значај ==

Транзистор се сматра за један од највећих изума у историји човечанства. Ту се такође налазе и [[штампа]], [[компас]], [[часовник]], [[Сочиво (оптика)|оптичко сочиво]], [[парна машина]], [[мотор са унутрашњим сагоревањем]], [[телеграф]], [[телефон]] и [[микропроцесор]]. Он је саставни део скоро свих данашњих електричних уређаја где игра кључну улогу [[активне компоненте]]. Данас се транзистори производе у огромним количинама у високо аутоматизованим процесима по ниским ценама. Ниска [[цена]] транзистора и универзална применљивост га чини скоро идеалним градивним елементом сваког електронског кола.

== Референце ==
{{reflist|30em}}

== Литература ==
{{Литература|30em}}
* {{Cite book|ref=harv |last=Moavenzadeh|first=Fred|title = Concise Encyclopedia of Building and Construction Materials|url=https://books.google.com/books?id=YiJaEAUj258C&pg=PA430|year=1990|publisher=MIT Press|isbn=978-0-262-13248-0|pages=430}}
* {{Cite book|ref=harv |last=Horowitz|first=Paul|last2=Hill|first2=Winfield|title = The Art of Electronics|publisher=Cambridge University Press|year=1989|isbn=978-0-521-37095-0|pages=}}
* {{Cite book|ref=harv |last=Amos|first=S. W.|last2=James|first2=M R.|title = Principles of Transistor Circuits|publisher=Butterworth-Heinemann|year=1999|isbn=978-0-7506-4427-3|pages=}}
* Jelaković T. “Tranzistorska audiopojačala”, Školska knjiga, Zagreb, 1973.
* -{Stuart J.R. “An approach to audio amplifier design”, Wireless World, August}- 1973
* David Bodanis . Electric Universe. {{page1|publisher=Crown Publishers|location=New York|year=2005|isbn=978-0-7394-5670-5|pages=}}
* J. Chelikowski, {{cite book|author= |title=Introduction: Silicon in all its Forms |location=|publisher=Springer|year=2004|isbn=978-3-540-40546-7|pages=}}, Silicon: evolution and future of a technology (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel). стр. 1. 
* {{Cite book|ref=harv|last=Streetman|first=Ben|title=Solid State Electronic Devices|location=Englewood Cliffs, NJ|publisher=Prentice-Hall|year=1992|isbn=978-0-13-822023-5|pages=301-305}}
* {{cite journal|author=Bacon, W. Stevenson|year=1968|title = The Transistor's 20th Anniversary: How Germanium And A Bit of Wire Changed The World|url=https://books.google.com/?id=mykDAAAAMBAJ&printsec=frontcover|journal=Bonnier Corp.: Popular Science, retrieved from [[Google Books]] 2009-03-22|volume=192|issue=6|issn=0161-7370|publisher=Bonnier Corporation|pages=80-84}}
* {{Cite book|ref=harv |author=Riordan, Michael  |last2=Hoddeson|first2=Lillian|lastauthoramp=yes |title = Crystal Fire|url=https://archive.org/details/crystalfireinven0000mich |publisher=W.W Norton & Company Limited|year=1998|isbn=978-0-393-31851-7|pages=}} The invention of the transistor & the birth of the information age
* {{Cite book|ref=harv |last=Warnes|first=Lionel|title = Analogue and Digital Electronics|url=https://archive.org/details/analoguedigitale0000warn |publisher=Macmillan Press Ltd|year=1998|isbn=978-0-333-65820-8|pages=}}
* {{cite news|title=Herbert F. Mataré, An Inventor of the Transistor has his moment |date=24. 2. 2003 |publisher = The New York Times |url = http://www.mindfully.org/Technology/2003/Transistor-Matare-Inventor24feb03.htm |accessdate=3. 8. 2017 |archive-url = https://web.archive.org/web/20090623050755/http://www.mindfully.org/Technology/2003/Transistor-Matare-Inventor24feb03.htm |archive-date=23. 6. 2009 |url-status=dead |df = }}
* {{cite journal|last=Riordan|first=Michael|year=2005|title=How Europe Missed the Transistor|journal=IEEE Spectrum|volume=42|issue=11|url=http://spectrum.ieee.org/print/2155|doi=10.1109/MSPEC.2005.1526906|accessdate=3. 8. 2017|archive-url=https://web.archive.org/web/20080214002109/http://www.spectrum.ieee.org/print/2155|archive-date=14. 2. 2008|url-status=dead|pages=52-57}}
* {{Cite book|ref=harv |last=Renmore|first=C. D.|year=1980|title = Silicon Chips and You|url=https://archive.org/details/siliconchipsyoum00renm |isbn=978-0-8253-0022-6|pages=}}
* {{Cite book|ref=harv |author=Wiley-IEEE Press|title = Complete Guide to Semiconductor Devices, 2nd Edition}}
{{Литература крај}}

== Спољашње везе ==
{{Commonscat|Transistors}}
* [http://www.ieee-virtual-museum.org/exhibit/exhibit.php?id=159270&lid=1 ИЕЕЕ виртуелни музеј о транзистору]
* [https://web.archive.org/web/20070928041118/http://www.porticus.org/bell/belllabs_transistor.html Белов сајт о историји транзистора]
* -{[http://www.ck722museum.com/ ''The CK722 Museum]''}-
* -{[https://web.archive.org/web/20100109053059/http://nobelprize.org/educational_games/physics/transistor/function/index.html The Transistor]}-
* -{[http://news.bbc.co.uk/2/hi/technology/7091190.stm BBC: Building the digital age photo history of transistors]}-
* -{[http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/The_Transistor_and_Portable_Electronics ''IEEE Global History Network, The Transistor and Portable Electronics'']}-
* -{[http://www.pbs.org/transistor/ ''Transistorized'']}-
* -{[http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm ''This Month in Physics History: November 17 to December 23, 1947: Invention of the First Transistor'']}-
* -{[https://web.archive.org/web/20070714010051/http://www.sciencefriday.com/pages/1997/Dec/hour1_121297.html ''50 Years of the Transistor'']}-
* -{[https://web.archive.org/web/20141030170632/http://hamradio.lakki.iki.fi/new/Datasheets/transistor_pinouts/ Common transistor pinouts]}-

;Табеле са подацима
* -{Charts showing many characteristics and links to most datasheets for [http://www.rtellason.com/trans-2n.html 2N], [http://www.rtellason.com/trans-2sa.html 2SA], [http://www.rtellason.com/trans-2sb.html 2SB]. [http://www.rtellason.com/trans-2sc.html 2SC], [http://www.rtellason.com/trans-2sd.html 2SD], [http://www.rtellason.com/trans-2sh-k.html 2SH-K], and [http://www.rtellason.com/trans-3up.html other] numbers.}-
* -{[https://archive.org/details/NationalSemiconductorDiscreteDatabook1978 Discrete Databook (Historical 1978)], National Semiconductor (now Texas Instruments)}-
* -{[https://archive.org/details/bitsavers_sgsdataBooDevices5ed_46325378 Discrete Databook (Historical 1982)], SGS (now STMicroelectronics)}-
* -{[https://archive.org/details/MotorolaSmallSignalTransistorDataBook1984 Small-Signal Transistor Databook (Historical 1984)], Motorola}-
* -{[https://archive.org/details/bitsavers_fairchilddldDiscreteDataBook_35122751 Discrete Databook (Historical 1985)], Fairchild}-

{{Подножје}}

[[Категорија:Транзистори]]
[[Категорија:Белове лабораторије]]